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【讲座主题】CMOS兼容的硅基锗锡光电子质料与器件
【时 间】2024年8月29日 下昼 2：30-3：30
【地 点】保定校区 教七楼206
【主讲人】伍绍腾 研究员 中国科学院半导体所
【主讲人简介】
伍绍腾，中科院半导体研究所研究员，中科院高条理人才B类入选者。主要从事四族光电质料及器件、四族异质集成及光电子的研究。近五年以第一作者或通讯作者在Photonics Res., ACS Photon., Appl. Phys. Lett., Opt. Express等期刊揭晓19篇光电子领域焦点论文� ；窆匀幻嫔稀⒅泄蒲г焊咛趵砣瞬拧⒈本┦忻嫔�/国合、河南省重点、半导体所青年推进等多个主持项目的经费支助。
【讲座内容】
已往的二十年来，硅光子学获得了蓬勃的生长。然而，片上集成的CMOS兼容光源仍然是一个挑战。与Si间接带隙纷歧样，Ge是一种准直接带隙质料，其直接、间接带隙能谷底差别仅为0.136 eV。别的，Ge质料可直接在硅上生长，Ge近十年来逐渐成为实现CMOS兼容硅基光源的潜在质料。凭证理论盘算，通过>8%的Sn掺杂要领，Ge将改性成为直接带隙半导体，从而实现高效发光� ；诖�，我们使用商业通用的RPCVD在12英寸硅衬底上接纳赝晶生长战略外延了低位错Ge/GeSn LED外延薄膜，实现了整个发光质料领域规模内光源器件有数的12英寸大晶圆外延生长，该LED器件的发光强度是古板锗质料的28倍。别的，由于锡的掺杂锗锡质料的带隙宽度将会响应变窄，因而GeSn质料也适合制作1.6微米以后，以致中红外波段的硅基探测器。